本公開實施例涉及薄膜切割，尤其涉及一種薄膜切割方法及裝置。
背景技術：
1、在半導體的制造過程中，存在一些對晶圓晶背進行處理的工藝，例如，晶圓背部研磨工藝與金屬化工藝。在這些過程中，需要采用貼膜工藝，在晶圓的晶面(即與晶背相對應的一面)蒙貼保護膜(bg?tape)，來保護晶圓晶面的器件不受損傷。
2、在實際的貼膜工藝中，還需要去除一部分保護膜，以露出缺口標記(notch)。
3、因此，如何提供一種技術方案，以去除缺口標記上的保護膜，成為了亟待解決的技術問題。
技術實現(xiàn)思路
1、有鑒于此，本公開實施例提供了一種薄膜切割方法及裝置，能夠去除缺口標記上的薄膜。
2、本公開實施例提供一種薄膜切割方法，薄膜覆蓋晶圓的晶面，所述晶圓具有缺口標記，所述薄膜切割方法包括：
3、確定所述缺口標記在所述晶面的位置信息，所述位置信息為所述晶面未被所述薄膜覆蓋時獲取到的；
4、獲取所述晶面的被所述薄膜覆蓋時，所述薄膜表面的不同位置處的光強值；
5、根據(jù)所述薄膜表面的不同位置處的光強值，確定所述缺口標記被所述薄膜覆蓋的區(qū)域；
6、根據(jù)所述缺口標記被所述薄膜覆蓋的區(qū)域和所述位置信息，生成第一切割指令，以去除位于所述缺口標記上的薄膜。
7、可選地，所述確定所述缺口標記在所述晶面的位置信息，包括：
8、獲取所述晶面未被所述薄膜覆蓋時，所述晶面的不同位置點的坐標信息，以及包含所述缺口標記的采樣圖像；
9、根據(jù)不同位置點的坐標信息，將所述采樣圖像劃分為多個子圖像，使得至少兩個子圖像的重疊區(qū)域包圍所述缺口標記；
10、分別確定各個子圖像對應的特征圖，并根據(jù)所述特征圖，確定所述重疊區(qū)域內(nèi)不同位置點的置信度；
11、根據(jù)所述重疊區(qū)域內(nèi)不同位置點的置信度，確定所述缺口標記在所述晶面的位置信息。
12、可選地，所述分別確定各個子圖像對應的特征圖，并根據(jù)所述特征圖，確定所述重疊區(qū)域內(nèi)不同位置點的置信度，包括：
13、采用不同尺度的提取參數(shù)，獲取各個子圖像在不同尺度下的圖像特征；
14、按照與各個尺度相適配的權重，將各個子圖像在不同尺度下的圖像特征進行加權處理，得到各個子圖像對應的特征圖；
15、基于預訓練的神經(jīng)網(wǎng)絡模型，對各個子圖像對應的特征圖進行前向傳播處理，輸出各個子圖像在所述重疊區(qū)域內(nèi)的各個位置點的置信度；
16、根據(jù)同一位置點在不同的子圖像中的置信度，確定所述重疊區(qū)域內(nèi)不同位置點的置信度。
17、可選地，所述根據(jù)所述重疊區(qū)域內(nèi)不同位置點的置信度，確定所述缺口標記在所述晶面的位置信息，包括：
18、從不同位置點的置信度中選取滿足預設置信度的第一位置點、第二位置點和第三位置點，且所述第三位置點位于所述第一位置點和第二位置點之間；
19、將經(jīng)過所述第一位置點和所述第三位置點的第一輪廓線作為所述缺口標記的第一邊界，將經(jīng)過所述第二位置點和所述第三位置點的第二輪廓線作為所述缺口標記的第二邊界，以及將所述第三位置點作為所述缺口標記的頂點。
20、可選地，所述根據(jù)所述薄膜表面的不同位置處的光強值，確定所述缺口標記被所述薄膜覆蓋的區(qū)域，包括：
21、計算任意兩個位置處的光強值之間的光強差值；
22、在確定所述光強差值大于預設光強，將包括任意兩個位置所對應的所有區(qū)域的組合，作為所述缺口標記被所述薄膜覆蓋的區(qū)域。
23、可選地，所述根據(jù)所述缺口標記被所述薄膜覆蓋的區(qū)域和所述位置信息，生成第一切割指令，包括：
24、根據(jù)所述缺口標記被所述薄膜覆蓋的區(qū)域和所述位置信息，確定切割區(qū)域；
25、根據(jù)所述切割區(qū)域，確定針對所述切割區(qū)域中的薄膜的第一切割指令。
26、可選地，基于所述第一切割指令，去除覆蓋所述缺口標記上的薄膜之后，露出所述缺口標記的邊緣位置時，生成第二切割指令，以沿所述晶圓的邊緣，切割覆蓋所述晶圓的邊緣的薄膜，且切割路徑為：沿所述晶圓的邊緣，從所述缺口標記的第一邊緣位置至所述缺口標記的第二邊緣位置。
27、相應的，本公開實施例還一種薄膜切割裝置，薄膜覆蓋晶圓，所述晶圓具有缺口標記，所述薄膜切割裝置包括：
28、控制模塊，所述控制模塊適于執(zhí)行如前述任一實施例所述的薄膜切割方法，生成第一切割指令；
29、第一切割工具，與所述控制模塊電連接，適于響應于所述第一切割指令，去除位于所述缺口標記上的薄膜。
30、可選地，所述控制模塊，還適于在所述第一切割工具去除覆蓋所述缺口標記上的薄膜之后，露出所述缺口標記的邊緣位置時，生成第二切割指令；
31、所述薄膜切割裝置還包括：第二切割工具，與所述控制模塊電連接，適于響應于所述第二切割指令，沿所述晶圓的邊緣，切割覆蓋所述晶圓的邊緣的薄膜，且切割路徑為：沿所述晶圓的邊緣，從所述缺口標記的第一邊緣位置至所述缺口標記的第二邊緣位置。
32、可選地，所述薄膜切割裝置滿足以下至少一項或多項：
33、缺口標記的形狀為u型或v型中的至少一種；
34、所述第一切割工具包括：激光器或刀片；
35、所述第二切割工具包括：刀片或激光器；
36、載臺，用于承載所述晶圓，所述第一切割工具和所述第一切割工具還與所述載臺連接。
37、與現(xiàn)有技術相比，本公開實施例的技術方案具有以下優(yōu)點：
38、本公開實施例提供的薄膜切割方法，通過獲取晶圓的晶面未被薄膜覆蓋時，缺口標記在晶面的位置信息，能夠提升獲取到的缺口標記的位置信息的精度，進而在確定缺口標記被薄膜覆蓋的區(qū)域后，能夠同時根據(jù)缺口標記被薄膜覆蓋的區(qū)域和位置信息，生成第一切割指令，以去除缺口標記上的薄膜。因而，采用上述技術方案，能夠去除缺口標記上的薄膜。
1.一種薄膜切割方法，其特征在于，薄膜覆蓋晶圓的晶面，所述晶圓具有缺口標記，所述薄膜切割方法包括：
2.根據(jù)權利要求1所述的薄膜切割方法，其特征在于，所述確定所述缺口標記在所述晶面的位置信息，包括：
3.根據(jù)權利要求2所述的薄膜切割方法，其特征在于，所述分別確定各個子圖像對應的特征圖，并根據(jù)所述特征圖，確定所述重疊區(qū)域內(nèi)不同位置點的置信度，包括：
4.根據(jù)權利要求2所述的薄膜切割方法，其特征在于，所述根據(jù)所述重疊區(qū)域內(nèi)不同位置點的置信度，確定所述缺口標記在所述晶面的位置信息，包括：
5.根據(jù)權利要求1所述的薄膜切割方法，其特征在于，所述根據(jù)所述薄膜表面的不同位置處的光強值，確定所述缺口標記被所述薄膜覆蓋的區(qū)域，包括：
6.根據(jù)權利要求1所述的薄膜切割方法，其特征在于，所述根據(jù)所述缺口標記被所述薄膜覆蓋的區(qū)域和所述位置信息，生成第一切割指令，包括：
7.根據(jù)權利要求1至6任一項所述的薄膜切割方法，其特征在于，基于所述第一切割指令，去除覆蓋所述缺口標記上的薄膜之后，露出所述缺口標記的邊緣位置時，生成第二切割指令，以沿所述晶圓的邊緣，切割覆蓋所述晶圓的邊緣的薄膜，且切割路徑為：沿所述晶圓的邊緣，從所述缺口標記的第一邊緣位置至所述缺口標記的第二邊緣位置。
8.一種薄膜切割裝置，其特征在于，薄膜覆蓋晶圓，所述晶圓具有缺口標記，所述薄膜切割裝置包括：
9.根據(jù)權利要求8所述的薄膜切割裝置，其特征在于，所述控制模塊，還適于在所述第一切割工具去除覆蓋所述缺口標記上的薄膜之后，露出所述缺口標記的邊緣位置時，生成第二切割指令；
10.根據(jù)權利要求9所述的薄膜切割裝置，其特征在于，滿足以下至少一項或多項：