一種真空鍍膜設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種真空鍍膜設(shè)備以及真空鍍膜的方法，該真空鍍膜設(shè)備包括氣相沉積室、支架以及導(dǎo)氣柱，支架設(shè)置于氣相沉積室內(nèi)且用于放置待鍍膜工件，支架包括支架柱，導(dǎo)氣柱呈中空狀且在導(dǎo)氣柱的側(cè)壁上設(shè)置有多個(gè)第一通氣孔，支架柱呈中空狀且支架柱的側(cè)壁上設(shè)置有多個(gè)第二通氣孔，導(dǎo)氣柱從所述支架柱的一端插入支架柱，支架柱嵌套設(shè)置于導(dǎo)氣柱外側(cè)且能夠繞所述導(dǎo)氣柱轉(zhuǎn)動(dòng)，引入的高分子材料裂解氣體經(jīng)第一通氣孔和第二通氣孔均勻擴(kuò)散并沉積于待鍍膜工件上。通過(guò)這樣的方式，能夠有效提高真空納米鍍膜的效率以及鍍膜的效果。
【專利說(shuō)明】一種真空鍍膜設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種真空鍍膜設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002] 將高分子材料裂解成納米分子后在真空環(huán)境內(nèi)均勻無(wú)間隙附著在產(chǎn)品表面形成 納米保護(hù)膜，稱之為真空氣相沉積納米鍍膜。這種工藝的納米鍍膜與傳統(tǒng)鍍膜或者噴油、噴 漆具有以下特性：1、防水防潮無(wú)細(xì)孔，密封性好；2、鍍膜耐酸堿、絕緣等級(jí)高、防靜電產(chǎn)生； 3、鍍膜表面平順，防污臟物粘附，摩擦力小，易擦洗；4、外觀色澤，可根據(jù)需求調(diào)整，從高透 明到其它顏色。5、鍍膜厚度是從0. 1微米到50微米以上皆可；6、鍍膜附著力好，無(wú)內(nèi)內(nèi)應(yīng) 力，氣泡孔，鍍膜適應(yīng)環(huán)境溫度±200°C，不脫落不起皺。
[0003] 納米鍍膜時(shí)，原料在材料室內(nèi)經(jīng)過(guò)150°C的汽化形成氣態(tài)后進(jìn)入到高溫650°C左 右的裂解爐，分解成納米級(jí)分子。進(jìn)入到常溫的鍍膜室，在真空狀態(tài)下以氣相沉積防水形成 薄膜，均勻覆蓋產(chǎn)品表面針孔及間隙。它與金屬噴鍍及噴油漆不同之處在于，只要產(chǎn)品表面 與空氣接觸都能都能被真空氣相沉積納米鍍膜，均勻覆蓋，形成無(wú)針孔、致密均勻、高透明 的薄膜。
[0004] 由于納米鍍膜時(shí)，需鍍膜的產(chǎn)品表面都要與空氣接觸，因此，如何對(duì)鍍膜設(shè)備進(jìn)行 改進(jìn)以適應(yīng)不同產(chǎn)品鍍膜是一個(gè)有待解決的技術(shù)問(wèn)題。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0005] 本實(shí)用新型提供一種真空鍍膜設(shè)備以及真空鍍膜的方法，能夠?qū)у兡すぜ?shí)行 批量真空納米鍍膜，提高待鍍膜工件真空納米鍍膜的效率以及鍍膜效果。
[0006] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供的一種技術(shù)方案是：提供一種真空鍍膜設(shè) 備，所述真空鍍膜設(shè)備包括氣相沉積室、支架以及導(dǎo)氣柱，所述支架設(shè)置于所述氣相沉積室 內(nèi)且用于放置待鍍膜工件，所述支架包括支架柱，所述導(dǎo)氣柱呈中空狀且在所述導(dǎo)氣柱的 側(cè)壁上設(shè)置有多個(gè)第一通氣孔，所述支架柱呈中空狀且所述支架柱的側(cè)壁上設(shè)置有多個(gè)第 二通氣孔，所述導(dǎo)氣柱從所述支架柱的一端插入所述支架柱，所述支架柱嵌套設(shè)置于所述 導(dǎo)氣柱外側(cè)且能夠繞所述導(dǎo)氣柱轉(zhuǎn)動(dòng)，引入的高分子材料裂解氣體經(jīng)所述第一通氣孔和所 述第二通氣孔均勻擴(kuò)散并沉積于所述待鍍膜工件上。
[0007] 其中，所述第一通氣孔為長(zhǎng)度方向沿所述導(dǎo)氣柱的軸向方向設(shè)置的條形孔。
[0008] 其中，沿所述導(dǎo)氣柱的軸向方向相鄰設(shè)置的所述第一通氣孔沿所述導(dǎo)氣柱的軸向 方向彼此錯(cuò)開(kāi)。
[0009] 其中，所述第二通氣孔為圓形孔，所述第一通氣孔的長(zhǎng)度大于所述第二通氣孔的 直徑。
[0010] 其中，所述支架進(jìn)一步包括密封設(shè)置于所述支架柱的另一端的頂蓋。
[0011] 其中，所述真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括設(shè)置于所述氣相沉積室側(cè)壁的入口以及設(shè)置 于所述氣相沉積室內(nèi)與所述入口正對(duì)著的降溫分流擋板，所述入口用于引入高分子材料裂 解氣體，所述高分子材料裂解氣體經(jīng)所述降溫分流擋板冷卻后擴(kuò)散于所述氣相沉積室內(nèi)。
[0012] 其中，所述真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括磁性轉(zhuǎn)動(dòng)組件，所述磁性轉(zhuǎn)動(dòng)組件包括設(shè)置 于所述氣相沉積室外側(cè)的第一旋轉(zhuǎn)磁體以及設(shè)置于所述氣相沉積室內(nèi)側(cè)的第二旋轉(zhuǎn)磁體， 所述第一旋轉(zhuǎn)磁體與所述第二旋轉(zhuǎn)磁體磁性耦合，所述第一旋轉(zhuǎn)磁體在旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)帶動(dòng) 下轉(zhuǎn)動(dòng)，并能夠帶動(dòng)所述第二旋轉(zhuǎn)磁體轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而帶動(dòng)所述支架柱能夠繞所述導(dǎo)氣柱轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0013] 其中，所述導(dǎo)氣柱貫穿所述氣相沉積室設(shè)置，所述第一旋轉(zhuǎn)磁體和所述第二旋轉(zhuǎn) 磁體分別轉(zhuǎn)動(dòng)支撐于所述導(dǎo)氣柱上且能夠繞所述導(dǎo)氣柱進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0014] 其中，所述導(dǎo)氣柱貫穿設(shè)置于所述氣相沉積室的底壁上且沿堅(jiān)直方向延伸，所述 支架柱沿所述堅(jiān)直方向嵌套至所述導(dǎo)氣柱外側(cè)且承座于所述第二旋轉(zhuǎn)磁體上。
[0015] 其中，所述氣相沉積室的頂部上設(shè)置有開(kāi)口，所述支架可以通過(guò)所述開(kāi)口放置于 所述氣相沉積室中或者從所述氣相沉積室中取出。
[0016] 其中，所述真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括設(shè)置于所述氣相沉積室外側(cè)并與所述導(dǎo)氣柱 連接的冷卻塔，氣相沉積后的殘余氣體經(jīng)過(guò)所述第二通氣孔和所述第一通氣孔進(jìn)入所述導(dǎo) 氣柱，進(jìn)一步通過(guò)所述導(dǎo)氣柱導(dǎo)入到所述冷卻塔中。
[0017] 其中，所述支架進(jìn)一步包括主支撐環(huán)和多個(gè)主支撐桿，所述主支撐環(huán)與所述支架 柱嵌套設(shè)置且固定于所述支架柱上，所述多個(gè)主支撐桿設(shè)置于所述主支撐環(huán)上且向所述主 支撐環(huán)的外側(cè)放射狀延伸。
[0018] 其中，所述第二通氣孔設(shè)置于沿所述支架柱的軸向方向相鄰設(shè)置的所述主支撐桿 之間。
[0019] 其中，所述支架進(jìn)一步包括輔支撐環(huán)和多個(gè)輔支撐桿，所述輔支撐環(huán)設(shè)置于所述 主支撐桿上且沿所述支架柱的徑向方向與所述主支撐環(huán)間隔嵌套設(shè)置，所述多個(gè)輔支撐桿 設(shè)置于所述輔支撐環(huán)上且向所述輔支撐環(huán)的外側(cè)放射狀延伸。
[0020] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供的另一種技術(shù)方案是：提供一種真空鍍膜 的方法，所述方法包括：將待鍍膜工件放置于支架上；所述支架放置于真空鍍膜設(shè)備的氣 相沉積室內(nèi)，以使所述待鍍膜工件設(shè)置于所述氣相沉積室內(nèi)；從氣相沉積室側(cè)壁入口引入 高分子材料裂解氣體，所述高分子材料裂解氣體經(jīng)降溫分流擋板冷卻后擴(kuò)散于所述氣相沉 積室內(nèi)，并進(jìn)一步通過(guò)所述導(dǎo)氣柱的第一通氣孔和所述支架的支架柱上的第二通氣孔均勻 擴(kuò)散并沉積于所述待鍍膜工件上。
[0021] 本實(shí)用新型的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，提供一種真空鍍膜設(shè)備以及真空鍍 膜的方法，真空鍍膜設(shè)備包括氣相沉積室、支架以及導(dǎo)氣柱，通過(guò)設(shè)置導(dǎo)氣柱以及能夠繞導(dǎo) 氣柱轉(zhuǎn)動(dòng)的支架柱，通過(guò)導(dǎo)氣柱上的第一通氣孔以及支架柱上的第二通氣孔，將從引入的 高分子材料裂解氣體均勻的分散于真空鍍膜設(shè)備的氣相沉積室內(nèi)以沉積在待鍍膜工件上。 通過(guò)這樣的方式，能夠有效提高真空納米鍍膜的效率以及鍍膜的效果。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022] 圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種真空鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023] 圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種真空鍍膜設(shè)備的導(dǎo)氣柱的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024] 圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種真空鍍膜設(shè)備的支架柱的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025] 圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種真空鍍膜設(shè)備的支架的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026] 圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種真空鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027] 圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種真空鍍膜的方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0028] 下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0029] 請(qǐng)參閱圖1，圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種真空鍍膜設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，本 實(shí)施例的真空鍍膜設(shè)備包括氣相沉積室1、支架2以及導(dǎo)氣柱32,支架2設(shè)置于氣相沉積室 1內(nèi)且用于放置待鍍膜工件，支架2包括支架柱22,導(dǎo)氣柱32呈中空狀且在導(dǎo)氣柱32的側(cè) 壁上設(shè)置有多個(gè)第一通氣孔321，支架柱22呈中空狀且支架柱22的側(cè)壁上設(shè)置有多個(gè)第二 通氣孔221，導(dǎo)氣柱32從支架柱22的一端插入支架柱22,支架柱22嵌套設(shè)置于導(dǎo)氣柱32 外側(cè)且能夠繞導(dǎo)氣柱32轉(zhuǎn)動(dòng)，引入的高分子材料裂解氣體經(jīng)第一通氣孔321和第二通氣孔 221均勻擴(kuò)散并沉積于待鍍膜工件上。
[0030] 其中，請(qǐng)結(jié)合參閱圖2,圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種真空鍍膜設(shè)備的導(dǎo)氣 柱的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，第一通氣孔321為長(zhǎng)度方向沿導(dǎo)氣柱32的軸向方向設(shè)置的條 形孔。
[0031] 其中，優(yōu)選地，沿導(dǎo)氣柱32的軸向方向相鄰設(shè)置的第一通氣孔321沿導(dǎo)氣柱32的 軸向方向彼此錯(cuò)開(kāi)。
[0032] 其中，請(qǐng)結(jié)合參閱圖3,圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種真空鍍膜設(shè)備的支架 柱的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，支架柱22的側(cè)壁上設(shè)置的第二通氣孔221為圓形孔，第一通氣 孔321的長(zhǎng)度大于第二通氣孔221的直徑。
[0033] 請(qǐng)繼續(xù)參閱圖1，本實(shí)施例的真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括設(shè)置于氣相沉積室1側(cè)壁 的入口 38以及設(shè)置于氣相沉積室1內(nèi)與入口 37正對(duì)著的降溫分流擋板38,經(jīng)裂解的高分 子材料氣體經(jīng)入口 37引入，并經(jīng)降溫分流擋板38冷卻后擴(kuò)散于氣相沉積室1內(nèi)。
[0034] 其中，本實(shí)施例的真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括磁性轉(zhuǎn)動(dòng)組件，磁性轉(zhuǎn)動(dòng)組件包括設(shè) 置于氣相沉積室1外側(cè)的第一旋轉(zhuǎn)磁體34以及設(shè)置于氣相沉積室1內(nèi)側(cè)的第二旋轉(zhuǎn)磁體 35,第一旋轉(zhuǎn)磁體34與第二旋轉(zhuǎn)磁體35磁性耦合，第一旋轉(zhuǎn)磁體34在旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)帶動(dòng) 下轉(zhuǎn)動(dòng)，并能夠帶動(dòng)第二旋轉(zhuǎn)磁體35轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而帶動(dòng)支架2轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0035] 其中，導(dǎo)氣柱32貫穿氣相沉積室1設(shè)置，第一旋轉(zhuǎn)磁體34和第二旋轉(zhuǎn)磁體35分 別轉(zhuǎn)動(dòng)支撐于導(dǎo)氣柱32上且能夠繞導(dǎo)氣柱32進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而帶動(dòng)支架2繞導(dǎo)氣柱32進(jìn)行 轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0036] 優(yōu)選地，導(dǎo)氣柱32貫穿設(shè)置于氣相沉積室1的底壁上且沿堅(jiān)直方向延伸，支架柱 22沿堅(jiān)直方向嵌套至導(dǎo)氣柱32外側(cè)且承座于第二旋轉(zhuǎn)磁體35上。
[0037] 優(yōu)選地，氣相沉積室1的頂部上設(shè)置有開(kāi)口 36,支架2可以通過(guò)開(kāi)口 36放置于氣 相沉積室1中或者從氣相沉積室1中取出。
[0038] 請(qǐng)繼續(xù)參閱圖1，本實(shí)施例的真空鍍膜設(shè)備還進(jìn)一步包括設(shè)置于氣相沉積室1外 側(cè)并與導(dǎo)氣柱32連接的冷卻塔39,氣相沉積后的殘余氣體經(jīng)過(guò)第二通氣孔221和第一通氣 孔321進(jìn)入導(dǎo)氣柱32,進(jìn)一步通過(guò)導(dǎo)氣柱32導(dǎo)入到冷卻塔39中。以避免殘余氣體向外擴(kuò) 散，同時(shí)冷卻塔內(nèi)還裝設(shè)有傳感器，通過(guò)傳感器可以檢測(cè)殘余氣體中高分子材料裂解氣體 的含量，并根據(jù)殘余氣體中高分子材料裂解氣體的含量調(diào)節(jié)入口 37,以減少或增加引入氣 相沉積室1的高分子裂解氣體的量。
[0039] 請(qǐng)進(jìn)一步結(jié)合參閱圖4,圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的真空鍍膜設(shè)備的支架的 結(jié)構(gòu)示意圖，支架2進(jìn)一步包括密封設(shè)置于支架柱22的另一端的頂蓋33。其中，支架2進(jìn) 一步包括主支撐環(huán)28和多個(gè)主支撐桿231，主支撐環(huán)28與支架柱22嵌套設(shè)置且固定于支 架柱22上，多個(gè)主支撐桿231設(shè)置于主支撐環(huán)28上且向主支撐環(huán)28的外側(cè)呈放射狀延伸。
[0040] 優(yōu)選地，第二通氣孔221設(shè)置于沿支架柱22的軸向方向相鄰設(shè)置的主支撐桿231 之間。
[0041] 其中，支架2進(jìn)一步包括輔支撐環(huán)30和多個(gè)輔支撐桿232,輔支撐環(huán)30設(shè)置于主 支撐桿232上且沿支架柱22的徑向方向與主支撐環(huán)30間隔嵌套設(shè)置，多個(gè)輔支撐桿232 設(shè)置于輔支撐環(huán)30上且向輔支撐環(huán)30的外側(cè)放射狀延伸。
[0042] 請(qǐng)參閱圖5,圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種真空鍍膜設(shè)備，如圖所示，本 實(shí)施例的真空鍍膜設(shè)備包括原料存儲(chǔ)罐3、裂解爐4、氣相沉積室1以及設(shè)置于氣相沉積室 內(nèi)的支架2、降溫分流擋板38、真空泵5、旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)6、以及冷卻塔39。
[0043] 其中，原料存儲(chǔ)罐3用于存儲(chǔ)用于原料，即用于真空鍍膜的高分子材料，比如Parylene N(聚對(duì)二甲苯）、Parylene C(聚一氯對(duì)二甲苯）和Parylene D(聚二氯對(duì)二甲 苯）的至少一種材料的裂解氣體，其中最優(yōu)選是聚對(duì)二甲苯裂解氣體。并利用其內(nèi)一級(jí)加 熱爐（圖未示出）將原料加熱到150度后形成氣態(tài)高分子材料，導(dǎo)入到裂解爐中。
[0044] 裂解爐4與原料存儲(chǔ)罐3連接，接收經(jīng)一級(jí)加熱成氣態(tài)的高分子材料，并進(jìn)行二級(jí) 加熱到650度后裂解成高分子材料納米氣體，通過(guò)氣相沉積室1側(cè)壁的入口 37將高分子材 料納米氣體導(dǎo)入到氣相沉積室1中。
[0045] 高分子材料納米氣體從入口 37進(jìn)入后，經(jīng)過(guò)降溫分流擋板降溫38,以避免650度 的氣體直接碰到待鍍膜的產(chǎn)品上，裂解后的高分子材料納米氣體遇到降溫分流擋板38后 向四周擴(kuò)散。
[0046] 真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括排氣柱32、旋轉(zhuǎn)組件7、氣相沉積室1以及設(shè)置于氣相沉 積室1內(nèi)的支架2,這些構(gòu)成部分的具體組成以及功能請(qǐng)參閱上述實(shí)施例的詳細(xì)描述，本實(shí) 施例不 標(biāo)注說(shuō)明。
[0047] 本實(shí)施例的真空鍍膜設(shè)備還包括冷卻塔39,冷卻塔39設(shè)置于氣相沉積室1外側(cè)并 與排氣柱32連接，氣相沉積后的殘余氣體經(jīng)過(guò)支架的支架柱上的第二通氣孔和排氣柱32 的第一通氣孔進(jìn)入排氣柱，進(jìn)一步通過(guò)排氣柱32導(dǎo)入到冷卻塔39中。經(jīng)過(guò)冷卻塔39把殘 余氣體中的高分子材料氣體迅速凝固，防止其對(duì)外擴(kuò)散。
[0048] 本實(shí)施例的真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括真空泵5,真空泵5與上述冷卻塔39連接，以 通過(guò)排氣柱32對(duì)氣相沉積室進(jìn)行抽真空，使氣相沉積室1形成真空負(fù)壓，便于高效地實(shí)現(xiàn) 氣相沉積。
[0049] 更進(jìn)一步地，本實(shí)施例的真空鍍膜設(shè)備還包括旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)6,通過(guò)同步帶與第一 旋轉(zhuǎn)磁體連接，用于驅(qū)動(dòng)第一旋轉(zhuǎn)磁體轉(zhuǎn)動(dòng)，帶動(dòng)第二旋轉(zhuǎn)磁體，進(jìn)而帶動(dòng)氣相沉積室內(nèi)的 支架柱32進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0050] 需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例中的高分子材料可以是ParyleneN(聚對(duì)二甲 苯）、Parylene C(聚一氯對(duì)二甲苯）和Parylene D(聚二氯對(duì)二甲苯）的至少一種材料， 其中最優(yōu)選是聚對(duì)二甲苯。
[0051] 更進(jìn)一步地，在以上提供的真空鍍膜設(shè)備的基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一 種真空鍍膜的方法，該真空鍍膜方法通過(guò)使用上述的真空鍍膜設(shè)備對(duì)待鍍膜工件進(jìn)行真空 鍍膜。請(qǐng)參閱圖6,圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種真空鍍膜的方法的流程圖，本實(shí)施 例真空鍍膜的方法包括：
[0052] S101 :將待鍍膜工件放置于支架上；
[0053] S102 :支架放置于真空鍍膜設(shè)備的氣相沉積室內(nèi)，以使待鍍膜工件設(shè)置于氣相沉 積室內(nèi)；
[0054] 打開(kāi)真空鍍膜設(shè)備的氣相沉積室上的開(kāi)口，將放置好待鍍膜工件的支架放置于真 空鍍膜設(shè)備的氣相沉積室內(nèi)，以使得待鍍膜工件設(shè)置于氣相沉積室內(nèi)。
[0055] S103:從氣相沉積室側(cè)壁入口引入高分子材料裂解氣體，高分子材料裂解氣體經(jīng) 降溫分流擋板冷卻后擴(kuò)散于氣相沉積室內(nèi)，旋轉(zhuǎn)支架轉(zhuǎn)動(dòng)后在氣相沉積室內(nèi)均勻擴(kuò)散并沉 積于待鍍膜工件上，并進(jìn)一步通過(guò)導(dǎo)氣柱的第一通氣孔和支架的支架柱上的第二通氣孔均 勻抽出殘余氣體。
[0056] 從氣相沉積室側(cè)壁入口將高分子材料裂解氣體引入氣相沉積室，驅(qū)動(dòng)真空鍍膜設(shè) 備的第一旋轉(zhuǎn)磁體進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，并帶動(dòng)第二旋轉(zhuǎn)磁體進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn)而帶動(dòng)支架柱能夠繞導(dǎo)氣 柱（殘余氣體排出管）進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，使得裂解氣體能夠均勻分散于氣相沉積室內(nèi)并沉積在待 鍍膜工件上。并把殘余氣體從中心殘余氣體排出管排出。經(jīng)過(guò)冷卻塔降溫后實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)殘余 氣體中高分子裂解氣體的含量，及時(shí)調(diào)整650度裂解爐的管道開(kāi)口大小，使之實(shí)現(xiàn)高分子 沉積效率最大化。真空泵不斷從氣相沉積室抽取真空（抽取氣相沉積后的殘余氣體）使之 讓650度裂解爐的裂解納米有機(jī)高分子不斷向氣相沉淀爐擴(kuò)散。
[0057] 其中，本實(shí)用新型實(shí)施例中的高分子材料可以Parylene N(聚對(duì)二甲苯）、Parylene C(聚一氯對(duì)二甲苯）和Parylene D(聚二氯對(duì)二甲苯）的至少一種材料，其中最 優(yōu)選是聚對(duì)二甲苯。
[0058]以上本實(shí)用新型實(shí)施例提供的真空鍍膜設(shè)備，提供一種真空鍍膜設(shè)備，真空鍍膜 設(shè)備包括氣相沉積室、支架以及導(dǎo)氣柱，通過(guò)設(shè)置導(dǎo)氣柱以及能夠繞導(dǎo)氣柱轉(zhuǎn)動(dòng)的支架柱， 通過(guò)導(dǎo)氣柱上的第一通氣孔以及支架柱上的第二通氣孔，將從引入的高分子材料裂解氣體 均勻的分散于真空鍍膜設(shè)備的氣相沉積室內(nèi)以沉積在待鍍膜工件上。通過(guò)這樣的方式，能 夠有效提高真空納米鍍膜的效率以及鍍膜的效果。
[0059] 以上所述僅為本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范 圍，凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間 接運(yùn)用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述真空鍍膜設(shè)備包括氣相沉積室、支架以及導(dǎo)氣 柱，所述支架設(shè)置于所述氣相沉積室內(nèi)且用于放置待鍍膜工件，所述支架包括支架柱，所述 導(dǎo)氣柱呈中空狀且在所述導(dǎo)氣柱的側(cè)壁上設(shè)置有多個(gè)第一通氣孔，所述支架柱呈中空狀且 所述支架柱的側(cè)壁上設(shè)置有多個(gè)第二通氣孔，所述導(dǎo)氣柱從所述支架柱的一端插入所述支 架柱，所述支架柱嵌套設(shè)置于所述導(dǎo)氣柱外側(cè)且能夠繞所述導(dǎo)氣柱轉(zhuǎn)動(dòng)，引入的高分子材 料裂解氣體經(jīng)所述第一通氣孔和所述第二通氣孔均勻擴(kuò)散并沉積于所述待鍍膜工件上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述第一通氣孔為長(zhǎng)度方向沿 所述導(dǎo)氣柱的軸向方向設(shè)置的條形孔。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，沿所述導(dǎo)氣柱的軸向方向相鄰 設(shè)置的所述第一通氣孔沿所述導(dǎo)氣柱的軸向方向彼此錯(cuò)開(kāi)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述第二通氣孔為圓形孔，所述 第一通氣孔的長(zhǎng)度大于所述第二通氣孔的直徑。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述支架進(jìn)一步包括密封設(shè)置 于所述支架柱的另一端的頂蓋。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括 設(shè)置于所述氣相沉積室側(cè)壁的入口以及設(shè)置于所述氣相沉積室內(nèi)與所述入口正對(duì)著的降 溫分流擋板，所述入口用于引入高分子材料裂解氣體，所述高分子材料裂解氣體經(jīng)所述降 溫分流擋板冷卻后擴(kuò)散于所述氣相沉積室內(nèi)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括 磁性轉(zhuǎn)動(dòng)組件，所述磁性轉(zhuǎn)動(dòng)組件包括設(shè)置于所述氣相沉積室外側(cè)的第一旋轉(zhuǎn)磁體以及設(shè) 置于所述氣相沉積室內(nèi)側(cè)的第二旋轉(zhuǎn)磁體，所述第一旋轉(zhuǎn)磁體與所述第二旋轉(zhuǎn)磁體磁性耦 合，所述第一旋轉(zhuǎn)磁體在旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)帶動(dòng)下轉(zhuǎn)動(dòng)，并能夠帶動(dòng)所述第二旋轉(zhuǎn)磁體轉(zhuǎn)動(dòng)，進(jìn) 而帶動(dòng)所述支架柱能夠繞所述導(dǎo)氣柱轉(zhuǎn)動(dòng)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述導(dǎo)氣柱貫穿所述氣相沉積 室設(shè)置，所述第一旋轉(zhuǎn)磁體和所述第二旋轉(zhuǎn)磁體分別轉(zhuǎn)動(dòng)支撐于所述導(dǎo)氣柱上且能夠繞所 述導(dǎo)氣柱進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述導(dǎo)氣柱貫穿設(shè)置于所述氣 相沉積室的底壁上且沿堅(jiān)直方向延伸，所述支架柱沿所述堅(jiān)直方向嵌套至所述導(dǎo)氣柱外側(cè) 且承座于所述第二旋轉(zhuǎn)磁體上。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述氣相沉積室的頂部上設(shè)置 有開(kāi)口，所述支架可以通過(guò)所述開(kāi)口放置于所述氣相沉積室中或者從所述氣相沉積室中取 出。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述真空鍍膜設(shè)備進(jìn)一步包括 設(shè)置于所述氣相沉積室外側(cè)并與所述導(dǎo)氣柱連接的冷卻塔，氣相沉積后的殘余氣體經(jīng)過(guò)所 述第二通氣孔和所述第一通氣孔進(jìn)入所述導(dǎo)氣柱，進(jìn)一步通過(guò)所述導(dǎo)氣柱導(dǎo)入到所述冷卻 塔中。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述支架進(jìn)一步包括主支撐環(huán) 和多個(gè)主支撐桿，所述主支撐環(huán)與所述支架柱嵌套設(shè)置且固定于所述支架柱上，所述多個(gè) 主支撐桿設(shè)置于所述主支撐環(huán)上且向所述主支撐環(huán)的外側(cè)放射狀延伸。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述第二通氣孔設(shè)置于沿所 述支架柱的軸向方向相鄰設(shè)置的所述主支撐桿之間。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的真空鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述支架進(jìn)一步包括輔支撐 環(huán)和多個(gè)輔支撐桿，所述輔支撐環(huán)設(shè)置于所述主支撐桿上且沿所述支架柱的徑向方向與所 述主支撐環(huán)間隔嵌套設(shè)置，所述多個(gè)輔支撐桿設(shè)置于所述輔支撐環(huán)上且向所述輔支撐環(huán)的 外側(cè)放射狀延伸。
【文檔編號(hào)】B82Y30/00GK204022935SQ201420312955
【公開(kāi)日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2014年6月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月12日
【發(fā)明者】文潔, 何自堅(jiān) 申請(qǐng)人:深圳市大富精工有限公司