本發(fā)明涉及半導體裝置用基板及其制造方法。
背景技術：
1、作為用于功率晶體管模塊等的半導體裝置用基板，已知有在陶瓷基板的表面具備銅板的dboc基板（direct?bonding?of?copper?substrate：直接覆銅基板）（例如，專利文獻1～3）。
2、現(xiàn)有技術文獻
3、專利文獻
4、專利文獻1：國際公開第2022/118802號公報
技術實現(xiàn)思路
1、發(fā)明所要解決的課題
2、然而，在上述的半導體裝置用基板中，由于因高電壓/高電流施加于半導體而產(chǎn)生的發(fā)熱，因此構成構件引起熱膨脹，陶瓷基板與電極有可能剝離。因此，為了提高裝置的可靠性，要求陶瓷基板與電極的接合界面有高接合強度。
3、本發(fā)明是為了解決上述問題而完成的，其目的在于提供一種半導體裝置用基板及其制造方法，能夠提高銅板與陶瓷基板的接合強度。
4、用于解決課題的技術方案
5、技術方案1.
6、一種半導體裝置用基板，具備：陶瓷基板；以及銅板，其與所述陶瓷基板的至少一個面接合，
7、在所述陶瓷基板具有cu存在區(qū)域，所述cu存在區(qū)域從與所述銅板的接合界面起累計cu質量濃度顯示為90%時的cu存在深度為11.0～20.0μm。
8、技術方案2.
9、根據(jù)技術方案1所述的半導體裝置用基板，其中，所述陶瓷基板含有：氧化鋁；以及氧化鋯或部分穩(wěn)定化氧化鋯，
10、在所述cu存在區(qū)域，所述氧化鋯的晶粒中的所述銅的含量比所述氧化鋁的晶粒中的所述銅的含量多。
11、技術方案3.
12、根據(jù)技術方案1或2所述的半導體裝置用基板，其中，用于從所述陶瓷基板剝離所述銅板的每單位寬度的載荷為5.5kg/cm以上。
13、技術方案4.
14、一種半導體裝置用基板的制造方法，包括通過濕式氧化法使銅板氧化的工序、以及通過直接接合法將陶瓷基板的至少一個面與所述銅板接合的工序，
15、被氧化的所述銅板在與所述陶瓷基板接合之前的狀態(tài)下含有cuo和cu2o，且在表面形成有富所述cuo的氧化銅層。
16、技術方案5.
17、根據(jù)技術方案3或4所述的半導體裝置用基板的制造方法，其中，在所述陶瓷基板的各面，從與所述銅板的接合界面起累計cu質量濃度顯示為90%時的cu存在深度為11.0～20.0μm。
18、發(fā)明效果
19、根據(jù)本發(fā)明，能夠提高陶瓷基板與銅板的接合強度。
1.一種半導體裝置用基板，具備：
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置用基板，其中，所述陶瓷基板含有：氧化鋁；以及氧化鋯或部分穩(wěn)定化氧化鋯，
3.根據(jù)權利要求1或2所述的半導體裝置用基板，其中，用于從所述陶瓷基板剝離所述銅板的每單位寬度的載荷為5.5kg/cm以上。
4.一種半導體裝置用基板的制造方法，包括通過濕式氧化法使銅板氧化的工序、以及通過直接接合法將陶瓷基板的至少一個面與所述銅板接合的工序，
5.根據(jù)權利要求3或4所述的半導體裝置用基板的制造方法，其中，在所述陶瓷基板的各面，從與所述銅板的接合界面起累計cu質量濃度顯示為90%時的cu存在深度為11.0～20.0μm。