基于基片集成波導的高增益低副瓣縫隙陣列天線的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種縫隙陣列天線，具體涉及一種基于基片集成波導的高增益低副瓣縫隙陣列天線，屬于無線通信領域。
【背景技術】
[0002]傳統(tǒng)的波導縫隙天線陣列因其功率容量大、高增益等優(yōu)點，一度成為研究的熱點。然而，隨著無線技術的研究發(fā)展，天線工作頻率向著更高的頻段發(fā)展，這對于尺寸敏感型的縫隙天線來說，傳統(tǒng)機械加工將不能滿足精度要求，大大局限了其在更高頻段的應用。基片集成波導技術是近年來提出的一種新型波導結構，具有低剖面、小尺寸的特點，在此基礎上，傳統(tǒng)天線的平面化、小型化設計成為了可能。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明為解決傳統(tǒng)的波導縫隙天線難以在高頻段使用的問題，進而提出基于基片集成波導的高增益低副瓣縫隙陣列天線。
[0004]本發(fā)明為解決上述問題采取技術方案是:本發(fā)明包括介質基板、正面T形微帶線、背面T形微帶線、正面梯形微帶線、正面長條形微帶線、背面梯形微帶線、背面長條形微帶線、兩個正面第一 Y形微帶線、四個正面第二 Y形微帶線、兩個背面第一 Y形微帶線、四個背面第二 Y形微帶線、兩個正面第一矩形微帶線、兩個背面第一矩形微帶線、八個正面子陣單元和八個背面子陣單元；
[0005]八個正面子陣單元并排印刷在介質基板正面的上部，八個背面子陣單元并排印刷在介質基板背面的上部，四個正面第二 Y形微帶線并排印刷在介質基板正面的中部，四個背面第二 Y形微帶線并排印刷在介質基板背面的中部，兩個正面第一 Y形微帶線并排印刷在介質基板正面的下部，兩個背面第一 Y形微帶線并排印刷在介質基板背面的下部，正面T形微帶線印刷在介質基板正面的下部，背面T形微帶線印刷在介質基板背面的下部；
[0006]正面T形微帶線的豎邊通過正面梯形微帶線與正面長條形微帶線的上端連接，正面長條形微帶線的下端與介質基板正面底邊的中部連接，背面T形微帶線的豎邊通過背面T形微帶線與背面長條形微帶線的上端連接，背面長條形微帶線的下端與介質基板背面底邊的中部連接；
[0007]每個正面第一 Y形微帶線的豎邊的下端分別通過一個正面第一矩形微帶線與正面T形微帶線的橫邊相對應的一端連接，每個背面第一 Y形微帶線的豎邊的下端分別通過一個背面第一矩形微帶線與背面T形微帶線的橫邊相對應的一端連接，每個正面第二 Y形微帶線的豎邊與相對應的一個正面第一 Y形微帶線相對應一個斜邊的上端連接，每個背面第二 Y形微帶線的豎邊與相對應的一個背面第一 Y形微帶線相對應一個斜邊的上端連接，每個正面子陣單元的下端分別與相對應的一個正面第二 Y形微帶線相對應一個斜邊的上端連接，每個背面子陣單元的下端分別與相對應一個背面第二 Y形微帶線相對應一個斜邊的上端連接；
[0008]每個正面子陣單元上設有八個正面縫隙，每個正面子陣單元的兩側和頂邊均布設有多個第一金屬化過孔，每個第一金屬化過孔由上至下依次穿過正面子陣單元、介質基板、背面子陣單元，每個正面第二 Y形微帶線的邊緣均布設有多個第二金屬化過孔，每個正面第二 Y形微帶線的岔口處設有多個第二金屬化過孔，所述多個第二金屬化過孔組成V形結構，每個正面第二 Y形微帶線下端并排設有兩個第三金屬化過孔，每個第二金屬化過孔和第三金屬化過孔均由上至下依次穿過正面第二 Y形微帶線、介質基板、背面第二 Y形微帶線，每個正面第一 Y形微帶線的邊緣均布設有多個第四金屬化過孔，每個第四金屬化過孔由上至下依次穿過正面第一 Y形微帶線、介質基板、背面第一 Y形微帶線，每個正面第一矩形微帶線的兩側均布設有多個第五金屬化過孔，每個第五金屬化過孔由上至下依次穿過正面第一矩形微帶線、介質基板、背面第一矩形微帶線，正面T形微帶線的邊緣均布設有多個第六金屬化過孔，正面T形微帶線的橫邊的中部呈Y字形設有多個第六金屬化過孔，每個第六金屬化過孔由上至下依次穿過正面T形微帶線、介質基板、背面T形微帶線，位于介質基板正面右側的正面第一 Y形微帶線上設有第七金屬化過孔，第七金屬化過孔由上至下依次穿過正面第一 Y形微帶線、介質基板、背面第一 Y形微帶線。
[0009]本發(fā)明的有益效果是:仿真結果表明，該縫隙天線陣列的工作頻段覆蓋17.18?17.65GHz，在整個工作頻帶內能夠實現20dBi以上的增益和_20dB以下的副瓣電平。包括功分網絡在內的天線整體尺寸僅為203X 115X 1.5_3，實現了高增益、低副瓣、小型化的目標。該天線為印刷型結構，具有剖面低、重量輕、易于集成的特點，可以廣泛應用于現代通信系統(tǒng)中。
【附圖說明】
[0010]圖1是本發(fā)明的正面結構示意圖，圖2是本發(fā)明的背面結構示意圖，圖3是高增益低副瓣縫隙天線陣列的Is11I仿真結果示意圖。
【具體實施方式】
[0011]【具體實施方式】一:結合圖1和圖2說明本實施方式，本實施方式所述基于基片集成波導的高增益低副瓣縫隙陣列天線包括介質基板1、正面T形微帶線2、背面T形微帶線3、正面梯形微帶線10、正面長條形微帶線11、背面梯形微帶線12、背面長條形微帶線13、兩個正面第一 Y形微帶線4、四個正面第二 Y形微帶線5、兩個背面第一 Y形微帶線6、四個背面第二 Y形微帶線7、兩個正面第一矩形微帶線8、兩個背面第一矩形微帶線9、八個正面子陣單元14和八個背面子陣單元15 ;
[0012]八個正面子陣單元14并排印刷在介質基板I正面的上部，八個背面子陣單元15并排印刷在介質基板I背面的上部，四個正面第二 Y形微帶線5并排印刷在介質基板I正面的中部，四個背面第二 Y形微帶線7并排印刷在介質基板I背面的中部，兩個正面第一 Y形微帶線4并排印刷在介質基板I正面的下部，兩個背面第一 Y形微帶線6并排印刷在介質基板I背面的下部，正面T形微帶線2印刷在介質基板I正面的下部，背面T形微帶線3印刷在介質基板I背面的下部；
[0013]正面T形微帶線2的豎邊2-1通過正面梯形微帶線10與正面長條形微帶線11的上端連接，正面長條形微帶線11的下端與介質基板I正面底邊的中部連接，背面T形微帶線3的豎邊3-1通過背面T形微帶線12與背面長條形微帶線13的上端連接，背面長條形微帶線13的下端與介質基板I背面底邊的中部連接；
[0014]每個正面第一 Y形微帶線4的豎邊4-1的下端分別通過一個正面第一矩形微帶線8與正面T形微帶線2的橫邊2-2相對應的一端連接，每個背面第一 Y形微帶線6的豎邊6-1的下端分別通過一個背面第一矩形微帶線9與背面T形微帶線3的橫邊3-2相對應的一端連接，每個正面第二 Y形微帶線5的豎邊5-1與相對應的一個正面第一 Y形微帶線4相對應一個斜邊4-2的上端連接，每個背面第二 Y形微帶線7的豎邊7-1與相對應的一個背面第一 Y形微帶線6相對應一個斜邊6-2的上端連接，每個正面子陣單元14的下端分別與相對應的一個正面第二 Y形微帶線5相對應一個斜邊5-2的上端連接，每個背面子陣單元15的下端分別與相對應一個背面第二 Y形微帶線7相對應一個斜邊7-2的上端連接；
[0015]每個正面子陣單元14上設有八個正面縫隙16，每個正面子陣單元14的兩側和頂邊均布設有多個第一金屬化過孔18，每個第一金屬化過孔18由上至下依次穿過正面子陣單元14、介質基板1、背面子陣單元15，每個正面第二 Y形微帶線5的邊緣均布設有多個第二金屬化過孔19，每個正面第二 Y形微帶線5的岔口處設有多個第二金屬化過孔19，所述多個第二金屬化過孔19組成V形結構，每個正面第二 Y形微帶線5下端并排設有兩個第三金屬化過孔20，每個第二金屬化過孔19和第三金屬化過孔20均由上至下依次穿過正面第二 Y形微帶線5、介質基板1、背面第二 Y形微帶線7，每個正面第一 Y形微帶線4的邊緣均布設有多個第四金屬化過孔21，每個第四金屬化過孔21由上至下依次穿過正面第一 Y形微帶線4、介質基板1、背面第一 Y形微帶線6，每個正面第一矩形微帶線8的兩側均布設有多個第五金屬化過孔22，每個第五金屬化過孔22由上至下依次穿過正面第一矩形微帶線8、介質基板1、背面第一矩形微帶線9，正面T形微帶線2的邊緣均布設有多個第六金屬化過孔23，正面T形微帶線2的橫邊2-1的中部呈Y字形設有多個第六金屬化過孔23，每個第六金屬化過孔23由上至下依次穿過正面T形微帶線2、介質基板1、背面T形微帶線3，位于介質基板I正面右側的正面第一 Y形微帶線4上設有第七金屬化過孔17，第七金屬化過孔17由上至下依次穿過正面第一 Y形微帶線4、介質基板1、背面第一 Y形微帶線6。
[0016]【具體實施方式】二:結合圖1和圖2說明本實施方式，本實施方式所述基于基片集成波導的高增益低副瓣縫隙陣列天線的第一金屬化